压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2007年
6期
704-706
,共3页
吴家刚%朱基亮%肖定全%朱建国%谭浚哲%张青磊
吳傢剛%硃基亮%肖定全%硃建國%譚浚哲%張青磊
오가강%주기량%초정전%주건국%담준철%장청뢰
(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3%铁电薄膜%射频磁控溅射%剩余极化强度%热释电系数
(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3%鐵電薄膜%射頻磁控濺射%剩餘極化彊度%熱釋電繫數
(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3%철전박막%사빈자공천사%잉여겁화강도%열석전계수
采用射频磁控溅射技术,在室温溅射、后续退火条件下,以PbO为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出具有完全钙钛矿结构的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜;比较了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上有无PbO过渡层的PLT薄膜的微结构和铁电性能.实验结果表明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上增加PbO过渡层提高了PLT薄膜的相纯度,并且所制备的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有优良的介电和铁电性能,其剩余极化强度Pr为21.76 μC/cm2,室温热释电系数p为2.75×10-8 C/cm2·K.
採用射頻磁控濺射技術,在室溫濺射、後續退火條件下,以PbO為過渡層,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)襯底上製備齣具有完全鈣鈦礦結構的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)鐵電薄膜;比較瞭在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)襯底上有無PbO過渡層的PLT薄膜的微結構和鐵電性能.實驗結果錶明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)襯底上增加PbO過渡層提高瞭PLT薄膜的相純度,併且所製備的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有優良的介電和鐵電性能,其剩餘極化彊度Pr為21.76 μC/cm2,室溫熱釋電繫數p為2.75×10-8 C/cm2·K.
채용사빈자공천사기술,재실온천사、후속퇴화조건하,이PbO위과도층,재Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)츤저상제비출구유완전개태광결구적(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)철전박막;비교료재Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)츤저상유무PbO과도층적PLT박막적미결구화철전성능.실험결과표명,재Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)츤저상증가PbO과도층제고료PLT박막적상순도,병차소제비적PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)박막구유우량적개전화철전성능,기잉여겁화강도Pr위21.76 μC/cm2,실온열석전계수p위2.75×10-8 C/cm2·K.
