CAJ | 학술논문

万方数据

半导体学报 반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年 z1期 235-238 ,共4页

张静%徐婉静%谭开洲%李荣强%李开成%刘道广%刘伦才

장정%서완정%담개주%리영강%리개성%류도엄%류륜재

应变Si%SiGe%异质结场效应晶体管%分子束外延%弛豫應變Si%SiGe%異質結場效應晶體管%分子束外延%弛豫
응변Si%SiGe%이질결장효응정체관%분자속외연%이예

在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于106cm-2.原子力显微镜(AFM)测试表明,其表面均方粗糙度小于1.02nm.器件测试结果表明,与相同条件下的体Si pMOSFET相比,空穴迁移率提高了25%.
재응변Si구도이질결장효응정체관(HFET)제작과정중,인입분자속외연(MBE)저온Si(LT-Si)기술,대대감소료이예SiGe층소수적후도.TEM결과표명,응변Si층선위착밀도저우106cm-2.원자력현미경(AFM)측시표명,기표면균방조조도소우1.02nm.기건측시결과표명,여상동조건하적체Si pMOSFET상비,공혈천이솔제고료25%.