物理学报
物理學報
물이학보
2006年
3期
1407-1412
,共6页
宋淑芳%陈维德%许振嘉%徐叙瑢
宋淑芳%陳維德%許振嘉%徐敘瑢
송숙방%진유덕%허진가%서서용
GaN%Er%Pr%深能级
GaN%Er%Pr%深能級
GaN%Er%Pr%심능급
利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0.270eV处有一个深能级;GaN注入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级,能级位置位于导带下0.300 eV,0.188 eV,0.600 eV 和0.410 eV;GaN注入Pr经1050℃,30min退火后的样品同样出现了四个深能级,能级位置位于导带下0.280 eV,0.190 eV,0.610 eV 和0.390 eV;对每一个深能级的来源进行了讨论.光谱研究表明,掺Er的GaN样品经900℃,30min退火后,可以观察到Er的1538nm处的发光,而且对能量输运和发光过程进行了讨论.
利用深能級瞬態譜(DLTS)、傅裏葉變換紅外光譜(FT-IR)對GaN以及GaN摻Er/Pr的樣品進行瞭電學和光學特性分析.研究髮現未摻雜的GaN樣品隻在導帶下0.270eV處有一箇深能級;GaN註入Er經900℃,30min退火後的樣品齣現瞭四箇深能級,能級位置位于導帶下0.300 eV,0.188 eV,0.600 eV 和0.410 eV;GaN註入Pr經1050℃,30min退火後的樣品同樣齣現瞭四箇深能級,能級位置位于導帶下0.280 eV,0.190 eV,0.610 eV 和0.390 eV;對每一箇深能級的來源進行瞭討論.光譜研究錶明,摻Er的GaN樣品經900℃,30min退火後,可以觀察到Er的1538nm處的髮光,而且對能量輸運和髮光過程進行瞭討論.
이용심능급순태보(DLTS)、부리협변환홍외광보(FT-IR)대GaN이급GaN참Er/Pr적양품진행료전학화광학특성분석.연구발현미참잡적GaN양품지재도대하0.270eV처유일개심능급;GaN주입Er경900℃,30min퇴화후적양품출현료사개심능급,능급위치위우도대하0.300 eV,0.188 eV,0.600 eV 화0.410 eV;GaN주입Pr경1050℃,30min퇴화후적양품동양출현료사개심능급,능급위치위우도대하0.280 eV,0.190 eV,0.610 eV 화0.390 eV;대매일개심능급적래원진행료토론.광보연구표명,참Er적GaN양품경900℃,30min퇴화후,가이관찰도Er적1538nm처적발광,이차대능량수운화발광과정진행료토론.
