真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2005年
z1期
97-100
,共4页
叶超%宁兆元%王婷婷%俞笑竹
葉超%寧兆元%王婷婷%俞笑竹
협초%저조원%왕정정%유소죽
低介电常数薄膜%电子回旋共振等离子体
低介電常數薄膜%電子迴鏇共振等離子體
저개전상수박막%전자회선공진등리자체
本文采用电子回旋共振(ECR)等离子体技术和十甲基环五硅氧烷(DMCPS)源开展了SiCOH薄膜的研究工作,获得了介电常数为2.88的SiCOH低介电常数薄膜.薄膜经400℃热处理后,膜厚减小,最大相对变化率小于15%,呈现较好的热稳定性.薄膜在1MV/cm场强下的漏电流为8.9×10-6A/cm2,且场强达到2.5 MV/cm时,未发生击穿现象,具有较优越的绝缘性能.因此,采用ECR-CVD技术和DMCPS源可以制备热稳定性优良的、绝缘性能优越的低介电常数SiCOH薄膜.
本文採用電子迴鏇共振(ECR)等離子體技術和十甲基環五硅氧烷(DMCPS)源開展瞭SiCOH薄膜的研究工作,穫得瞭介電常數為2.88的SiCOH低介電常數薄膜.薄膜經400℃熱處理後,膜厚減小,最大相對變化率小于15%,呈現較好的熱穩定性.薄膜在1MV/cm場彊下的漏電流為8.9×10-6A/cm2,且場彊達到2.5 MV/cm時,未髮生擊穿現象,具有較優越的絕緣性能.因此,採用ECR-CVD技術和DMCPS源可以製備熱穩定性優良的、絕緣性能優越的低介電常數SiCOH薄膜.
본문채용전자회선공진(ECR)등리자체기술화십갑기배오규양완(DMCPS)원개전료SiCOH박막적연구공작,획득료개전상수위2.88적SiCOH저개전상수박막.박막경400℃열처리후,막후감소,최대상대변화솔소우15%,정현교호적열은정성.박막재1MV/cm장강하적루전류위8.9×10-6A/cm2,차장강체도2.5 MV/cm시,미발생격천현상,구유교우월적절연성능.인차,채용ECR-CVD기술화DMCPS원가이제비열은정성우량적、절연성능우월적저개전상수SiCOH박막.
