Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象
Si조제참잡AlGaN/GaN이질결자조박빈현상
Beating patterns in the oscillatory magnetoresistance of a Si modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2005年 5期 2247-2251 ,共5页

    姚炜%仇志军%桂永胜%郑泽伟%吕捷%唐宁%沈波%褚君浩

    요위%구지군%계영성%정택위%려첩%당저%침파%저군호

    AlGaN/GaN异质结构%SdH振荡%磁致子带间散射%磁阻拍频 AlGaN/GaN異質結構%SdH振盪%磁緻子帶間散射%磁阻拍頻
    AlGaN/GaN이질결구%SdH진탕%자치자대간산사%자조박빈
    在低温(1.5K-25K)和强磁场(0-10T)条件下,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂A1GaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象.根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式,拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带SdH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的.
    재저온(1.5K-25K)화강자장(0-10T)조건하,대이유전자기점거량개자대적Si조제참잡A1GaN/GaN이질결구진행자수운측량.재일정온도범위내관찰도자조박빈현상.근거Sander등인화Raikh등인급출적자조진탕적구체표체식,의합실험결과표명자조박빈시유제일자대SdH진탕화자치자대간산사인기적자조진탕도치적.
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