仪器仪表学报
儀器儀錶學報
의기의표학보
CHINESE JOURNAL OF SCIENTIFIC INSTRUMENT
2004年
z3期
212-214
,共3页
光电探测器%响应度 PIN
光電探測器%響應度 PIN
광전탐측기%향응도 PIN
主要阐述了一种新型P*PIN结构的硅光电二极管,采用N型硅衬底,经过氧化光刻后,先作一次很薄淡硼扩散,再进行浓硼扩散,这样形成高低发射结的方法,减薄死层厚度,减少光生载流子的复合,以提高光电转换效率.
主要闡述瞭一種新型P*PIN結構的硅光電二極管,採用N型硅襯底,經過氧化光刻後,先作一次很薄淡硼擴散,再進行濃硼擴散,這樣形成高低髮射結的方法,減薄死層厚度,減少光生載流子的複閤,以提高光電轉換效率.
주요천술료일충신형P*PIN결구적규광전이겁관,채용N형규츤저,경과양화광각후,선작일차흔박담붕확산,재진행농붕확산,저양형성고저발사결적방법,감박사층후도,감소광생재류자적복합,이제고광전전환효솔.
