分析试验室
分析試驗室
분석시험실
ANALYTICAL LABORATORY
2004年
8期
9-13
,共5页
汪振辉%张岱%张岩%周漱萍
汪振輝%張岱%張巖%週漱萍
왕진휘%장대%장암%주수평
多巴酚丁胺%聚对氨基吡啶修饰电极%伏安法%电催化
多巴酚丁胺%聚對氨基吡啶脩飾電極%伏安法%電催化
다파분정알%취대안기필정수식전겁%복안법%전최화
在玻碳电极(GCE)上制备了聚对氨基吡啶(POAP)修饰膜电极,并研究了多巴酚丁胺(DBTM)在POAP电极上的电化学行为.POAP修饰电极对DBTM的氧化有良好的电催化作用.循环伏安(CV)图上出现两个氧化峰(P1,P2)和一个还原峰(P3).在最佳实验条件下,P1氧化峰电流与DBTM浓度在9.12×10-10～8.15×10-7 mol/L和3.19×10-6～3.40×10-5 mol/L范围内呈良好线性关系,开路富集5 min检出限可达9.12×10-11 mol/L.
在玻碳電極(GCE)上製備瞭聚對氨基吡啶(POAP)脩飾膜電極,併研究瞭多巴酚丁胺(DBTM)在POAP電極上的電化學行為.POAP脩飾電極對DBTM的氧化有良好的電催化作用.循環伏安(CV)圖上齣現兩箇氧化峰(P1,P2)和一箇還原峰(P3).在最佳實驗條件下,P1氧化峰電流與DBTM濃度在9.12×10-10～8.15×10-7 mol/L和3.19×10-6～3.40×10-5 mol/L範圍內呈良好線性關繫,開路富集5 min檢齣限可達9.12×10-11 mol/L.
재파탄전겁(GCE)상제비료취대안기필정(POAP)수식막전겁,병연구료다파분정알(DBTM)재POAP전겁상적전화학행위.POAP수식전겁대DBTM적양화유량호적전최화작용.순배복안(CV)도상출현량개양화봉(P1,P2)화일개환원봉(P3).재최가실험조건하,P1양화봉전류여DBTM농도재9.12×10-10～8.15×10-7 mol/L화3.19×10-6～3.40×10-5 mol/L범위내정량호선성관계,개로부집5 min검출한가체9.12×10-11 mol/L.
