世界科技研究与发展
世界科技研究與髮展
세계과기연구여발전
WORLD SCI-TECH R & D
2004年
3期
32-38
,共7页
锗硅%外延%分子束外延%超高真空化学气相沉积%常压化学气相沉积%快速热化学气相沉积
鍺硅%外延%分子束外延%超高真空化學氣相沉積%常壓化學氣相沉積%快速熱化學氣相沉積
타규%외연%분자속외연%초고진공화학기상침적%상압화학기상침적%쾌속열화학기상침적
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题,并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进,最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较.
本文描述瞭應用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化學氣相沉積(UHV/CVD)、常壓化學氣相沉積(APCVD)、快速熱化學氣相沉積(RTCVD)等幾種工藝及這幾種工藝中的常見問題,併介紹瞭近來這些SiGe外延技術的改進,最後從器件角度對以上幾種工藝特性進行瞭比較.
본문묘술료응용우SiGe외연적분자속외연(MBE)、초고진공화학기상침적(UHV/CVD)、상압화학기상침적(APCVD)、쾌속열화학기상침적(RTCVD)등궤충공예급저궤충공예중적상견문제,병개소료근래저사SiGe외연기술적개진,최후종기건각도대이상궤충공예특성진행료비교.
