固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
3期
339-342
,共4页
4H碳化硅%金属氧化物半导体%二氧化硅/碳化硅界面%变角X射线光电子能谱%湿氧二次氧化
4H碳化硅%金屬氧化物半導體%二氧化硅/碳化硅界麵%變角X射線光電子能譜%濕氧二次氧化
4H탄화규%금속양화물반도체%이양화규/탄화규계면%변각X사선광전자능보%습양이차양화
高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜.采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiC MOS结构界面电学特性.发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性.采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对SiO2/SiC界面过渡区进行分析,通过过渡区厚度计算和过渡区成分含量比较,发现湿氧二次氧化工艺可减小过渡区氧化膜厚度,降低过渡区成分含量,进而揭示了降低SiO2/SiC界面态密度,改善界面电学特性的微观机理.
高溫熱氧化法在4H-SiC(0001)晶麵上生成SiO2氧化膜.採用濕氧二次氧化(wet-ROA)工藝對樣品進行處理,通過測量SiC MOS結構界麵電學特性.髮現wet-ROA工藝有助于降低界麵態密度,改善SiO2/SiC界麵電學特性.採用變角X射線光電子能譜(ADXPS)技術對SiO2/SiC界麵過渡區進行分析,通過過渡區厚度計算和過渡區成分含量比較,髮現濕氧二次氧化工藝可減小過渡區氧化膜厚度,降低過渡區成分含量,進而揭示瞭降低SiO2/SiC界麵態密度,改善界麵電學特性的微觀機理.
고온열양화법재4H-SiC(0001)정면상생성SiO2양화막.채용습양이차양화(wet-ROA)공예대양품진행처리,통과측량SiC MOS결구계면전학특성.발현wet-ROA공예유조우강저계면태밀도,개선SiO2/SiC계면전학특성.채용변각X사선광전자능보(ADXPS)기술대SiO2/SiC계면과도구진행분석,통과과도구후도계산화과도구성분함량비교,발현습양이차양화공예가감소과도구양화막후도,강저과도구성분함량,진이게시료강저SiO2/SiC계면태밀도,개선계면전학특성적미관궤리.
