量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2003年
3期
257-268
,共12页
中性原子%磁囚禁技术%玻色-爱因斯坦凝聚%原子芯片
中性原子%磁囚禁技術%玻色-愛因斯坦凝聚%原子芯片
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本文就近二十年来国际上用于三维限制中性原子运动的磁囚禁原理、方案、特点及其最新发展进行了系统介绍与综述.根据构成磁阱的装置大小、磁场特征以及产生磁场方式的不同,可以将囚禁原子的各种磁阱分为宏观静磁囚禁、微观静磁囚禁和微波或交流磁囚禁三大类.最后,文章简单介绍了中性原子磁囚禁技术在玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)和原子芯片中的最新应用.
本文就近二十年來國際上用于三維限製中性原子運動的磁囚禁原理、方案、特點及其最新髮展進行瞭繫統介紹與綜述.根據構成磁阱的裝置大小、磁場特徵以及產生磁場方式的不同,可以將囚禁原子的各種磁阱分為宏觀靜磁囚禁、微觀靜磁囚禁和微波或交流磁囚禁三大類.最後,文章簡單介紹瞭中性原子磁囚禁技術在玻色-愛因斯坦凝聚(BEC)和原子芯片中的最新應用.
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