半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2001年
3期
59-61
,共3页
高瑛%骆永石%高汉江%刘和初%曹炳初%汤建新
高瑛%駱永石%高漢江%劉和初%曹炳初%湯建新
고영%락영석%고한강%류화초%조병초%탕건신
微区光学方法%检测%外延片
微區光學方法%檢測%外延片
미구광학방법%검측%외연편
用微区光致发光和拉曼散射光谱比较了国内外GaP:ZnO红光二极管产品的结构,在国内首先实现了用微区光学方法检测LED外延片并进行生产工艺的改进。对典型样品进行了微区光致发光的测试，比较外延片横截面上不同厚度层的光致发光，非常明显地看出主要发光区是在P区。通过合理扩展P层发光区的厚度相应地增加了光致发光的总光强，提高了产品的生产成品率。
用微區光緻髮光和拉曼散射光譜比較瞭國內外GaP:ZnO紅光二極管產品的結構,在國內首先實現瞭用微區光學方法檢測LED外延片併進行生產工藝的改進。對典型樣品進行瞭微區光緻髮光的測試，比較外延片橫截麵上不同厚度層的光緻髮光，非常明顯地看齣主要髮光區是在P區。通過閤理擴展P層髮光區的厚度相應地增加瞭光緻髮光的總光彊，提高瞭產品的生產成品率。
용미구광치발광화랍만산사광보비교료국내외GaP:ZnO홍광이겁관산품적결구,재국내수선실현료용미구광학방법검측LED외연편병진행생산공예적개진。대전형양품진행료미구광치발광적측시，비교외연편횡절면상불동후도층적광치발광，비상명현지간출주요발광구시재P구。통과합리확전P층발광구적후도상응지증가료광치발광적총광강，제고료산품적생산성품솔。
