半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
6期
570-575
,共6页
王玉霞%温军%郭震%汤洪高%黄继颇%王连卫%林成鲁
王玉霞%溫軍%郭震%湯洪高%黃繼頗%王連衛%林成魯
왕옥하%온군%곽진%탕홍고%황계파%왕련위%림성로
激光淀积%α-SiC薄膜
激光澱積%α-SiC薄膜
격광정적%α-SiC박막
报道用脉冲ArF激光烧蚀SiC陶瓷靶,在800℃Si(111)衬底上淀积SiC薄膜,再经920℃真空(10-3Pa)退火处理,制备出晶态α-SiC薄膜.用FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等.结果表明,在920℃较低温度下,SiC薄膜经非晶核化--长大过程,生成了晶态α-SiC(0001)∥Si(111)高度定向外延膜,薄膜内C/Si比约为1.01.表面有污染C及少量氧化态Si和C.室温下用280nm光激发薄膜,在341nm处有较强发光峰,半峰宽45nm,显示出较好的短波发光性质.
報道用脈遲ArF激光燒蝕SiC陶瓷靶,在800℃Si(111)襯底上澱積SiC薄膜,再經920℃真空(10-3Pa)退火處理,製備齣晶態α-SiC薄膜.用FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL譜等分析方法,研究瞭薄膜的錶麵形態、晶體結構、微結構、組成、化學態和光緻髮光等.結果錶明,在920℃較低溫度下,SiC薄膜經非晶覈化--長大過程,生成瞭晶態α-SiC(0001)∥Si(111)高度定嚮外延膜,薄膜內C/Si比約為1.01.錶麵有汙染C及少量氧化態Si和C.室溫下用280nm光激髮薄膜,在341nm處有較彊髮光峰,半峰寬45nm,顯示齣較好的短波髮光性質.
보도용맥충ArF격광소식SiC도자파,재800℃Si(111)츤저상정적SiC박막,재경920℃진공(10-3Pa)퇴화처리,제비출정태α-SiC박막.용FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL보등분석방법,연구료박막적표면형태、정체결구、미결구、조성、화학태화광치발광등.결과표명,재920℃교저온도하,SiC박막경비정핵화--장대과정,생성료정태α-SiC(0001)∥Si(111)고도정향외연막,박막내C/Si비약위1.01.표면유오염C급소량양화태Si화C.실온하용280nm광격발박막,재341nm처유교강발광봉,반봉관45nm,현시출교호적단파발광성질.
