激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究
격광퇴화법저온제비다정규박막적연구
Study of p-Si Film Obtained at Low Temperatures by Excimer Laser Annealing
  • 万方数据
    液晶与显示 액정여현시
    CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
    2000年 1期 46-52 ,共7页

    刘传珍%杨柏梁%李牧菊%吴渊%张玉%李轶华%邱法斌%黄锡珉

    류전진%양백량%리목국%오연%장옥%리질화%구법빈%황석민

    p-si薄膜%激光退火%能量密度 p-si薄膜%激光退火%能量密度
    p-si박막%격광퇴화%능량밀도
    利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用xRD、sEM等分析手段,进行了表征分析.对晶化的罔值能量密度进行了计算.并对激光退火的机理进行了探讨.研究结果表明:a-Si晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关,在晶化区内,晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加.
    이용격광퇴화적방식재저온하제비다정규박막,채용xRD、sEM등분석수단,진행료표정분석.대정화적망치능량밀도진행료계산.병대격광퇴화적궤리진행료탐토.연구결과표명:a-Si정화적역치능량밀도여박막적후도무관,재정화구내,정립척촌적대소수착조사도박막표면적격광능량밀도적증가이증가.
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