电镀与精饰
電鍍與精飾
전도여정식
PLATING & FINISHING
1999年
4期
26-29
,共4页
刘立炳%赵常就%陈范才%许岩%孙贺民
劉立炳%趙常就%陳範纔%許巖%孫賀民
류립병%조상취%진범재%허암%손하민
电化学%测试%镀锌%钝化膜
電化學%測試%鍍鋅%鈍化膜
전화학%측시%도자%둔화막
简单介绍了新开发的CH钝化工艺及其特点,用恒电量技术对比测试了CH钝化工艺形成的钝化膜和常规钝化膜,CH钝化膜的Rp、Rf值大,Cd、Cf值小;再应用循环伏安法在-1.02～-1.68 V范围进行测试,发现CH钝化膜的循环伏安图经10次循环后仍与第一次的一样.两种测试说明了CH钝化膜比常规钝化膜的耐蚀性高.两种电化学测试的结果与其它方法测试的结果一致.
簡單介紹瞭新開髮的CH鈍化工藝及其特點,用恆電量技術對比測試瞭CH鈍化工藝形成的鈍化膜和常規鈍化膜,CH鈍化膜的Rp、Rf值大,Cd、Cf值小;再應用循環伏安法在-1.02～-1.68 V範圍進行測試,髮現CH鈍化膜的循環伏安圖經10次循環後仍與第一次的一樣.兩種測試說明瞭CH鈍化膜比常規鈍化膜的耐蝕性高.兩種電化學測試的結果與其它方法測試的結果一緻.
간단개소료신개발적CH둔화공예급기특점,용항전량기술대비측시료CH둔화공예형성적둔화막화상규둔화막,CH둔화막적Rp、Rf치대,Cd、Cf치소;재응용순배복안법재-1.02～-1.68 V범위진행측시,발현CH둔화막적순배복안도경10차순배후잉여제일차적일양.량충측시설명료CH둔화막비상규둔화막적내식성고.량충전화학측시적결과여기타방법측시적결과일치.
