固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2003年
2期
142-144
,共3页
黄大定%刘超%李建平%高斐%孙殿照%朱世荣%孔梅影
黃大定%劉超%李建平%高斐%孫殿照%硃世榮%孔梅影
황대정%류초%리건평%고비%손전조%주세영%공매영
气源分子束外延%异质结双极晶体管%原位掺杂%锗硅合金材料
氣源分子束外延%異質結雙極晶體管%原位摻雜%鍺硅閤金材料
기원분자속외연%이질결쌍겁정체관%원위참잡%타규합금재료
在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/S i材料的原位掺杂控制技术.采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料,可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内,并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率,获得了理想N、P型杂质分布的SiGe/Si HBT外延材料.
在特定溫控下對摻雜氣體分子的狀態和活性進行控製,建立瞭一套具有自主知識產權的氣源分子束外延工藝生長SiGe/S i材料的原位摻雜控製技術.採用該技術生長的SiGe/Si HBT外延材料,可將硼雜質較好地限製在SiGe閤金基區內,併能有效地提高燐烷對N型摻雜的濃度和外延硅層的生長速率,穫得瞭理想N、P型雜質分佈的SiGe/Si HBT外延材料.
재특정온공하대참잡기체분자적상태화활성진행공제,건립료일투구유자주지식산권적기원분자속외연공예생장SiGe/S i재료적원위참잡공제기술.채용해기술생장적SiGe/Si HBT외연재료,가장붕잡질교호지한제재SiGe합금기구내,병능유효지제고린완대N형참잡적농도화외연규층적생장속솔,획득료이상N、P형잡질분포적SiGe/Si HBT외연재료.
