CAJ | 학술논문

用RF磁控溅射沉积的Fe-N磁性薄膜,饱和磁化强度比较高,但矫顽力太高,因而降低H c 成为Fe-N是否可以用于高密度磁记录的关键.在低功率200W下溅射沉积200nm的薄膜,在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f A为5%～7%范围内,形成α′+α″时,μ o Ms可达2.4T,H c <80A/m.但Fe-N磁性薄膜厚度需要达到2μm,而H c 往往因厚度增加而增加.提高溅射功率到1000W,使晶粒进一步细化,2μm厚的Fe-N磁性薄膜经250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f A 为5.9%～8.5%范围内,形成α′+α″时,μ o Ms=2.2T,H c 仍可低于80A/m,可以满足针对高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.
용RF자공천사침적적Fe-N자성박막,포화자화강도비교고,단교완력태고,인이강저H c 성위Fe-N시부가이용우고밀도자기록적관건.재저공솔200W하천사침적200nm적박막,재250℃,12000A/m자장하진공열처리후,당N함량재f A위5%～7%범위내,형성α′+α″시,μ o Ms가체2.4T,H c <80A/m.단Fe-N자성박막후도수요체도2μm,이H c 왕왕인후도증가이증가.제고천사공솔도1000W,사정립진일보세화,2μm후적Fe-N자성박막경250℃,12000A/m자장하진공열처리후,당N함량재f A 위5.9%～8.5%범위내,형성α′+α″시,μ o Ms=2.2T,H c 잉가저우80A/m,가이만족침대고존저밀도적GMR/감응식복합독사자두중사입자두적수요.