电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2002年
8期
1229-1231
,共3页
何宝平%王桂珍%周辉%罗尹虹%姜景和
何寶平%王桂珍%週輝%囉尹虹%薑景和
하보평%왕계진%주휘%라윤홍%강경화
γ射线%电子%质子%剂量率%辐射损伤
γ射線%電子%質子%劑量率%輻射損傷
γ사선%전자%질자%제량솔%복사손상
利用不同剂量率γ射线、低能(小于9MeV)质子和1MeV电子对CC4007RH、CC4011、LC54 HC04RH NMOSFET进行了辐照实验,结果表明,在+5V偏置条件下,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60Co,而且质子能量越低,损伤越小;对于同等的吸收剂量,1MeV电子和60Co造成的损伤差别不大;在高剂量率γ射线辐射下,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因,在接近空间低剂量率辐射环境下,LC54HC04RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷,而CC4007RH器件则是氧化物陷阱电荷.
利用不同劑量率γ射線、低能(小于9MeV)質子和1MeV電子對CC4007RH、CC4011、LC54 HC04RH NMOSFET進行瞭輻照實驗,結果錶明,在+5V偏置條件下,9MeV以下質子造成的損傷總是小于60Co,而且質子能量越低,損傷越小;對于同等的吸收劑量,1MeV電子和60Co造成的損傷差彆不大;在高劑量率γ射線輻射下,氧化物陷阱電荷是導緻器件失效的主要原因,在接近空間低劑量率輻射環境下,LC54HC04RH電路失效的主要原因是輻射感生界麵態陷阱電荷,而CC4007RH器件則是氧化物陷阱電荷.
이용불동제량솔γ사선、저능(소우9MeV)질자화1MeV전자대CC4007RH、CC4011、LC54 HC04RH NMOSFET진행료복조실험,결과표명,재+5V편치조건하,9MeV이하질자조성적손상총시소우60Co,이차질자능량월저,손상월소;대우동등적흡수제량,1MeV전자화60Co조성적손상차별불대;재고제량솔γ사선복사하,양화물함정전하시도치기건실효적주요원인,재접근공간저제량솔복사배경하,LC54HC04RH전로실효적주요원인시복사감생계면태함정전하,이CC4007RH기건칙시양화물함정전하.
