手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析
수궤용신화가쌍도쌍척단편사빈개관성품솔분석
Yield Analysis of GaAs DPDT Monolithic RF Switch for Wireless Communication
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2002年 4期 403-407 ,共5页

    李拂晓%蒋幼泉%吴振海%徐中仓%钮利荣%周剑明%邵凯%杨乃彬

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    신화가%단편%사빈개관%성품솔분석
    采用GaAs 75mm 0.7μm离子注入场效应晶体管(MESFET)标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷(DPDT)单片射频开关(以下简称单片开关).成品率分析表明,影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括:材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、挖槽控制及圆片沾污等.优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在90%左右,微波成品率稳定在80%左右,接近国际上砷化镓标准加工线的水平.
    채용GaAs 75mm 0.7μm리자주입장효응정체관(MESFET)표준공예기술연제출수궤용GaAs쌍도쌍척(DPDT)단편사빈개관(이하간칭단편개관).성품솔분석표명,영향단편개관직류급사빈삼수성품솔적주요인소포괄:재료궤하삼수、주입퇴화균균성、책광각성품솔、알조공제급원편첨오등.우화공예조건가이사단편개관직류성품솔은정재90%좌우,미파성품솔은정재80%좌우,접근국제상신화가표준가공선적수평.
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