阳极氧化铝作缓冲层的Si基GaN生长
양겁양화려작완충층적Si기GaN생장
GaN Growth on Si Substrate Using Anodic Alumina as Buffer Layer
  • 万方数据
    高技术通讯 고기술통신
    HIGH TECHNOLOGY LETTERS
    2002年 4期 52-54 ,共3页

    陈鹏%江若琏%王军转%赵作明%梅永丰%沈波%张荣%吴兴龙%顾书林%郑有炓

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    GaN%阳极氧化铝%缓冲层%紫外探测器 GaN%暘極氧化鋁%緩遲層%紫外探測器
    GaN%양겁양화려%완충층%자외탐측기
    尝试了Si基上生长GaN外延层的一种新的缓冲层材料-阳极氧化铝.在Si(111)衬底上电子束蒸发铝膜,经阳极氧化后放入MOCVD系统中退火,然后进行GaN外延生长.对材料的微结构和电学性质进行了测量和分析,并将得到的GaN材料制备成光导型的紫外光电探测器,器件在330～380nm紫外光区域有明显响应,最高响应度为3.5A/W(5V偏压).
    상시료Si기상생장GaN외연층적일충신적완충층재료-양겁양화려.재Si(111)츤저상전자속증발려막,경양겁양화후방입MOCVD계통중퇴화,연후진행GaN외연생장.대재료적미결구화전학성질진행료측량화분석,병장득도적GaN재료제비성광도형적자외광전탐측기,기건재330～380nm자외광구역유명현향응,최고향응도위3.5A/W(5V편압).
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