固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
2期
231-234
,共4页
陈堂胜%杨立杰%王泉慧%李拂晓%陈效建
陳堂勝%楊立傑%王泉慧%李拂曉%陳效建
진당성%양립걸%왕천혜%리불효%진효건
高效率%异质结%微波场效应晶体管%单片微波集成电路%功率放大器
高效率%異質結%微波場效應晶體管%單片微波集成電路%功率放大器
고효솔%이질결%미파장효응정체관%단편미파집성전로%공솔방대기
研制成GaAs/InGaAs异质结功率FET(HFET),该器件是在常规的高-低-高分布GaAs MESFET的基础上,在有源层的尾部引入i-InGaAs层.采用HFET研制的两级C波功率放大器,在5.0～5.5 GHz带内,当Vds＝5.5 V时,输出功率大于32.31 dBm(0.177 W/mm),功率增益大于19.3 dB,功率附加效率(PAE)大于38.7%,PAE最大达到49.4%,该放大器在Vds＝9.0 V时,输出功率大于36.65 dBm(0.48 W/mm),功率增益大于21.6 dB,PAE典型值35%.
研製成GaAs/InGaAs異質結功率FET(HFET),該器件是在常規的高-低-高分佈GaAs MESFET的基礎上,在有源層的尾部引入i-InGaAs層.採用HFET研製的兩級C波功率放大器,在5.0～5.5 GHz帶內,噹Vds＝5.5 V時,輸齣功率大于32.31 dBm(0.177 W/mm),功率增益大于19.3 dB,功率附加效率(PAE)大于38.7%,PAE最大達到49.4%,該放大器在Vds＝9.0 V時,輸齣功率大于36.65 dBm(0.48 W/mm),功率增益大于21.6 dB,PAE典型值35%.
연제성GaAs/InGaAs이질결공솔FET(HFET),해기건시재상규적고-저-고분포GaAs MESFET적기출상,재유원층적미부인입i-InGaAs층.채용HFET연제적량급C파공솔방대기,재5.0～5.5 GHz대내,당Vds＝5.5 V시,수출공솔대우32.31 dBm(0.177 W/mm),공솔증익대우19.3 dB,공솔부가효솔(PAE)대우38.7%,PAE최대체도49.4%,해방대기재Vds＝9.0 V시,수출공솔대우36.65 dBm(0.48 W/mm),공솔증익대우21.6 dB,PAE전형치35%.
