锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制
타납미양감박막적전치발광급기궤제
Electroluminescence from Ge-nanocrystal-embedded thin films and its mechanism
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2001年 6期 670-672 ,共3页

    董业民%叶春暖%汤乃云%陈静%吴雪梅%诸葛兰剑%王曦%姚伟国

    동업민%협춘난%탕내운%진정%오설매%제갈란검%왕희%요위국

    锗纳米镶嵌薄膜%电致发光%发光机制 鍺納米鑲嵌薄膜%電緻髮光%髮光機製
    타납미양감박막%전치발광%발광궤제
    采用射频磁控溅射技术,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件.器件的结构为半透明Au膜/Ge纳米镶嵌薄膜/P-Si基片.当正向偏压大于6V时,用内眼可以观察到可见的电致发光,但在反向偏压下探测不到光发射.所测电致发光谱中只有一个发光峰,峰位在510nm(2.4eV,绿光),并且随着正向偏压的升高,峰位不发生移动;对于不同温度退火的样品,峰位也保持不变.根据分析结果讨论了可能的电致发光机制.
    채용사빈자공천사기술,재Ge납미양감박막적기출상제비출전치발광기건.기건적결구위반투명Au막/Ge납미양감박막/P-Si기편.당정향편압대우6V시,용내안가이관찰도가견적전치발광,단재반향편압하탐측불도광발사.소측전치발광보중지유일개발광봉,봉위재510nm(2.4eV,록광),병차수착정향편압적승고,봉위불발생이동;대우불동온도퇴화적양품,봉위야보지불변.근거분석결과토론료가능적전치발광궤제.
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