功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2004年
4期
484-488
,共5页
Si3N4电容%等效厚度%评估%可靠性
Si3N4電容%等效厚度%評估%可靠性
Si3N4전용%등효후도%평고%가고성
通过不同 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容结构, 运用 TDDB理论研究分析了斜坡电压下的 MIM Si3N4电容的导电特性和击穿特性,确定了 GaAs MMIC的 MIM Si3N4电容失效不是介质本征 击穿导致失效,而主要是由 Si3N4 介质的缺陷引起.基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等 效厚度模型评估和监测 GaAs MMIC的 Si3N4介质电容的质量和可靠性的新方法,可以用于工艺生 产线实现对 Si3N4介质电容的质量和可靠性进行快速评估和监测.
通過不同 GaAs MMIC的 MIM Si3N4電容結構, 運用 TDDB理論研究分析瞭斜坡電壓下的 MIM Si3N4電容的導電特性和擊穿特性,確定瞭 GaAs MMIC的 MIM Si3N4電容失效不是介質本徵 擊穿導緻失效,而主要是由 Si3N4 介質的缺陷引起.基于缺陷導緻介質電場擊穿的原理,提齣瞭等 效厚度模型評估和鑑測 GaAs MMIC的 Si3N4介質電容的質量和可靠性的新方法,可以用于工藝生 產線實現對 Si3N4介質電容的質量和可靠性進行快速評估和鑑測.
통과불동 GaAs MMIC적 MIM Si3N4전용결구, 운용 TDDB이론연구분석료사파전압하적 MIM Si3N4전용적도전특성화격천특성,학정료 GaAs MMIC적 MIM Si3N4전용실효불시개질본정 격천도치실효,이주요시유 Si3N4 개질적결함인기.기우결함도치개질전장격천적원리,제출료등 효후도모형평고화감측 GaAs MMIC적 Si3N4개질전용적질량화가고성적신방법,가이용우공예생 산선실현대 Si3N4개질전용적질량화가고성진행쾌속평고화감측.
