半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
4期
313-316
,共4页
周春锋%杨连生%刘晏凤%李延强%杜颖
週春鋒%楊連生%劉晏鳳%李延彊%杜穎
주춘봉%양련생%류안봉%리연강%두영
铟和硅双掺杂%全液封%砷化镓单晶%液封直拉法
銦和硅雙摻雜%全液封%砷化鎵單晶%液封直拉法
인화규쌍참잡%전액봉%신화가단정%액봉직랍법
研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力.掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术.结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单晶生长技术以消除位错.采用此技术已生长出半导体低位错密度的GaAs晶体,经证实这种掺Si和In低位错GaAs衬底可以满足GaAs LED制作.
研究瞭幾種消除LEC GaAs材料的位錯措施以降低溫度梯度從而儘可能降低晶體的熱應力.摻入等電子In或Si使雜質硬化,為瞭抑製晶體錶麵產生位錯,開髮瞭全液封切剋勞斯基(FEC)晶體生長技術.結閤以上三種技術開髮齣瞭Si和In雙摻FEC GaAs單晶生長技術以消除位錯.採用此技術已生長齣半導體低位錯密度的GaAs晶體,經證實這種摻Si和In低位錯GaAs襯底可以滿足GaAs LED製作.
연구료궤충소제LEC GaAs재료적위착조시이강저온도제도종이진가능강저정체적열응력.참입등전자In혹Si사잡질경화,위료억제정체표면산생위착,개발료전액봉절극로사기(FEC)정체생장기술.결합이상삼충기술개발출료Si화In쌍참FEC GaAs단정생장기술이소제위착.채용차기술이생장출반도체저위착밀도적GaAs정체,경증실저충참Si화In저위착GaAs츤저가이만족GaAs LED제작.
