福建电脑
福建電腦
복건전뇌
FUJIAN COMPUTER
2011年
10期
138-138,16
,共2页
微功耗%电压基准%低温度系数
微功耗%電壓基準%低溫度繫數
미공모%전압기준%저온도계수
本文采用0.18μm标准CMOS工艺,设计了微功耗CMOS电压基准电路。该基准电源电压可低至0.9V,功耗为0.8uA,输出基准电压为0.7V。在-20℃~100℃的温度范围内可获得29ppm/℃的温度系数,在1kHZ和100kHZ可分别获得-34dB和-17dB的电源抑制比。
本文採用0.18μm標準CMOS工藝,設計瞭微功耗CMOS電壓基準電路。該基準電源電壓可低至0.9V,功耗為0.8uA,輸齣基準電壓為0.7V。在-20℃~100℃的溫度範圍內可穫得29ppm/℃的溫度繫數,在1kHZ和100kHZ可分彆穫得-34dB和-17dB的電源抑製比。
본문채용0.18μm표준CMOS공예,설계료미공모CMOS전압기준전로。해기준전원전압가저지0.9V,공모위0.8uA,수출기준전압위0.7V。재-20℃~100℃적온도범위내가획득29ppm/℃적온도계수,재1kHZ화100kHZ가분별획득-34dB화-17dB적전원억제비。
