微细加工技术
微細加工技術
미세가공기술
MICROFABRICATION TECHNOLOGY
2002年
1期
36-39
,共4页
叶春暖%汤乃云%吴雪梅%诸葛兰剑%余跃辉%姚伟国
葉春暖%湯迺雲%吳雪梅%諸葛蘭劍%餘躍輝%姚偉國
협춘난%탕내운%오설매%제갈란검%여약휘%요위국
Ge-SiO2薄膜%溅射%XPS谱%退火
Ge-SiO2薄膜%濺射%XPS譜%退火
Ge-SiO2박막%천사%XPS보%퇴화
采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行300℃到1000℃的退火处理30分钟,对样品进行XPS分析,研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态,为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据.结合XRD谱图分析结果可发现,退火处理对纳米晶粒的形成与长大起着关键作用.随着退火温度的升高,样品中的Si向高价态转化,Ge则向低价态转化;GeO含量在800℃退火样品中为最大,高于800℃退火样品中急剧减少.
採用射頻磁控濺射技術製備瞭Ge-SiO2薄膜,在N2氣氛下進行300℃到1000℃的退火處理30分鐘,對樣品進行XPS分析,研究瞭在不同退火溫度下薄膜樣品的成分與化學狀態,為進一步探討薄膜的光緻髮光機理提供瞭依據.結閤XRD譜圖分析結果可髮現,退火處理對納米晶粒的形成與長大起著關鍵作用.隨著退火溫度的升高,樣品中的Si嚮高價態轉化,Ge則嚮低價態轉化;GeO含量在800℃退火樣品中為最大,高于800℃退火樣品中急劇減少.
채용사빈자공천사기술제비료Ge-SiO2박막,재N2기분하진행300℃도1000℃적퇴화처리30분종,대양품진행XPS분석,연구료재불동퇴화온도하박막양품적성분여화학상태,위진일보탐토박막적광치발광궤리제공료의거.결합XRD보도분석결과가발현,퇴화처리대납미정립적형성여장대기착관건작용.수착퇴화온도적승고,양품중적Si향고개태전화,Ge칙향저개태전화;GeO함량재800℃퇴화양품중위최대,고우800℃퇴화양품중급극감소.
