GaN衬底材料LiGaO2晶体的温度梯度法生长及分析
GaN츤저재료LiGaO2정체적온도제도법생장급분석
Growth of LiGaO2 as a Substrate of GaN by Temperature Gradient Technique
  • 万方数据
    光学学报 광학학보
    ACTA OPTICA SINICA
    2002年 6期 761-764 ,共4页

    杨卫桥%干福熹%邓佩珍%周永宗%徐军%李抒智%蒋成勇

    양위교%간복희%산패진%주영종%서군%리서지%장성용

    GaN%LiGaO2%温度梯度法 GaN%LiGaO2%溫度梯度法
    GaN%LiGaO2%온도제도법
    以温度梯度法生长LiGaO2晶体,通过形貌观察、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析确认在样品的中部形成了单一相的LiGaO2晶体.但在生长过程中由于CO气体的存在,熔体表面形成了LiO-和金属态的Ga,钼坩埚被侵蚀形成Li2MoO4进入熔体,使样品上下两部分的结晶质量变差.
    이온도제도법생장LiGaO2정체,통과형모관찰、X사선연사분석화X사선광전자능보분석학인재양품적중부형성료단일상적LiGaO2정체.단재생장과정중유우CO기체적존재,용체표면형성료LiO-화금속태적Ga,목감과피침식형성Li2MoO4진입용체,사양품상하량부분적결정질량변차.
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