功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2002年
6期
650-652
,共3页
黄创君%林璇英%林揆训%余云鹏%余楚迎%池凌飞
黃創君%林璇英%林揆訓%餘雲鵬%餘楚迎%池凌飛
황창군%림선영%림규훈%여운붕%여초영%지릉비
多晶硅薄膜%SiCl4/H2气源%低温生长%结晶度
多晶硅薄膜%SiCl4/H2氣源%低溫生長%結晶度
다정규박막%SiCl4/H2기원%저온생장%결정도
以SiCl4-H2为气源,用等离子体化学气相沉积技术,在衬底温度仅为200℃时能获得多晶硅薄膜.最大晶粒达1.5μm,结晶度在90%以上.薄膜中不合Cl、H、C、N、O等杂质,暗电导率高达10-4Ω-1@cm-1,光照稳定性好.对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论.
以SiCl4-H2為氣源,用等離子體化學氣相沉積技術,在襯底溫度僅為200℃時能穫得多晶硅薄膜.最大晶粒達1.5μm,結晶度在90%以上.薄膜中不閤Cl、H、C、N、O等雜質,暗電導率高達10-4Ω-1@cm-1,光照穩定性好.對氯元素在低溫成膜中的作用進行初步討論.
이SiCl4-H2위기원,용등리자체화학기상침적기술,재츤저온도부위200℃시능획득다정규박막.최대정립체1.5μm,결정도재90%이상.박막중불합Cl、H、C、N、O등잡질,암전도솔고체10-4Ω-1@cm-1,광조은정성호.대록원소재저온성막중적작용진행초보토론.
