半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
1期
60-63
,共4页
田招兵%张永刚%顾溢%祝向荣%郑燕兰
田招兵%張永剛%顧溢%祝嚮榮%鄭燕蘭
전초병%장영강%고일%축향영%정연란
InGaAs%光伏探测器%焦平面阵列%钝化%气态源分子束外延
InGaAs%光伏探測器%焦平麵陣列%鈍化%氣態源分子束外延
InGaAs%광복탐측기%초평면진렬%둔화%기태원분자속외연
通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进行了比较和分析.实验结果表明,气态源分子束外延材料具有良好的均匀性;氮化硅钝化器件总体性能上优于聚酰亚胺钝化器件.引线封装实验显示,SiN钝化膜有较好的抗冲击和热稳定性,具有更好的工艺相容性.
通過對氣態源分子束外延結閤常規器件工藝研製的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探測器陣列光響應和暗電流特性的錶徵和比較,研究瞭聚酰亞胺和氮化硅兩種鈍化工藝對陣列器件性能和均勻性的影響,併對兩種不同鈍化膜陣列器件後續封裝的可靠性進行瞭比較和分析.實驗結果錶明,氣態源分子束外延材料具有良好的均勻性;氮化硅鈍化器件總體性能上優于聚酰亞胺鈍化器件.引線封裝實驗顯示,SiN鈍化膜有較好的抗遲擊和熱穩定性,具有更好的工藝相容性.
통과대기태원분자속외연결합상규기건공예연제적정격필배InGaAs/InP광복형탐측기진렬광향응화암전류특성적표정화비교,연구료취선아알화담화규량충둔화공예대진렬기건성능화균균성적영향,병대량충불동둔화막진렬기건후속봉장적가고성진행료비교화분석.실험결과표명,기태원분자속외연재료구유량호적균균성;담화규둔화기건총체성능상우우취선아알둔화기건.인선봉장실험현시,SiN둔화막유교호적항충격화열은정성,구유경호적공예상용성.
