电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
11期
38-42
,共5页
朱云广%沈鸿烈%左连勇%鲁林峰
硃雲廣%瀋鴻烈%左連勇%魯林峰
주운엄%침홍렬%좌련용%로림봉
Co3.5Ni0.5Sb12%热电性能%能带结构%态密度
Co3.5Ni0.5Sb12%熱電性能%能帶結構%態密度
Co3.5Ni0.5Sb12%열전성능%능대결구%태밀도
采用机械合金化结合冷等静压的方法制备了CoSb3和Co3.5Ni0.5Sb12化合物,并测量了其热电性能.利用基于密度泛函理论赝势平面波的方法对Ni掺杂前后的CoSb3的能带结构和态密度进行了计算,实验和理论计算结果表明:CoSb3的费密面位于导带和价带之间,其电阻率随温度的升高而降低,为非简并半导体;Co3.5Ni0.5Sb12的费密面进入导带,其电阻率随温度的升高而增大,为n型筒并半导体;本实验条件下,Co3.5Ni0.5Sb12化合物的功率因子在550K时出现最大值2292.92μW/(m·K2),是未掺杂CoSb3化合物最大值的12倍.
採用機械閤金化結閤冷等靜壓的方法製備瞭CoSb3和Co3.5Ni0.5Sb12化閤物,併測量瞭其熱電性能.利用基于密度汎函理論贗勢平麵波的方法對Ni摻雜前後的CoSb3的能帶結構和態密度進行瞭計算,實驗和理論計算結果錶明:CoSb3的費密麵位于導帶和價帶之間,其電阻率隨溫度的升高而降低,為非簡併半導體;Co3.5Ni0.5Sb12的費密麵進入導帶,其電阻率隨溫度的升高而增大,為n型筒併半導體;本實驗條件下,Co3.5Ni0.5Sb12化閤物的功率因子在550K時齣現最大值2292.92μW/(m·K2),是未摻雜CoSb3化閤物最大值的12倍.
채용궤계합금화결합랭등정압적방법제비료CoSb3화Co3.5Ni0.5Sb12화합물,병측량료기열전성능.이용기우밀도범함이론안세평면파적방법대Ni참잡전후적CoSb3적능대결구화태밀도진행료계산,실험화이론계산결과표명:CoSb3적비밀면위우도대화개대지간,기전조솔수온도적승고이강저,위비간병반도체;Co3.5Ni0.5Sb12적비밀면진입도대,기전조솔수온도적승고이증대,위n형통병반도체;본실험조건하,Co3.5Ni0.5Sb12화합물적공솔인자재550K시출현최대치2292.92μW/(m·K2),시미참잡CoSb3화합물최대치적12배.
