原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2011年
5期
619-623
,共5页
黄绍艳%刘敏波%王祖军%唐本奇%肖志刚%张勇
黃紹豔%劉敏波%王祖軍%唐本奇%肖誌剛%張勇
황소염%류민파%왕조군%당본기%초지강%장용
光敏晶体管%位移损伤%中子%光电流%增益%暗电流
光敏晶體管%位移損傷%中子%光電流%增益%暗電流
광민정체관%위이손상%중자%광전류%증익%암전류
通过开展光敏晶体管的反应堆中子辐照实验,获得位移效应实验结果,并分析位移损伤机理.研究发现,在3×1011～5×10 12 cm-2中子注量范围内,光敏晶体管增益和光响应度的下降导致集电极输出电流下降.增益的倒数与注量的增加呈线性关系,注入电流越大,线性关系的斜率越小.理论分析表明,通过提高基区掺杂水平或减小基区宽度,可提高增益的抗辐射水平;不同反向偏置电压下的初级光电流辐照前基本相同,随着辐照注量的增大,差异逐渐增大,反向偏置电压越大,初级光电流的退化越小;通过采用PIN结构或加大反向偏置电压来展宽耗尽区以减少受位移效应严重影响的扩散电流份额,可提高初级光电流的抗辐射水平.与PIN光电二极管不同,本实验注量范围内,光敏晶体管的暗电流随注量的增大而减小.
通過開展光敏晶體管的反應堆中子輻照實驗,穫得位移效應實驗結果,併分析位移損傷機理.研究髮現,在3×1011～5×10 12 cm-2中子註量範圍內,光敏晶體管增益和光響應度的下降導緻集電極輸齣電流下降.增益的倒數與註量的增加呈線性關繫,註入電流越大,線性關繫的斜率越小.理論分析錶明,通過提高基區摻雜水平或減小基區寬度,可提高增益的抗輻射水平;不同反嚮偏置電壓下的初級光電流輻照前基本相同,隨著輻照註量的增大,差異逐漸增大,反嚮偏置電壓越大,初級光電流的退化越小;通過採用PIN結構或加大反嚮偏置電壓來展寬耗儘區以減少受位移效應嚴重影響的擴散電流份額,可提高初級光電流的抗輻射水平.與PIN光電二極管不同,本實驗註量範圍內,光敏晶體管的暗電流隨註量的增大而減小.
통과개전광민정체관적반응퇴중자복조실험,획득위이효응실험결과,병분석위이손상궤리.연구발현,재3×1011～5×10 12 cm-2중자주량범위내,광민정체관증익화광향응도적하강도치집전겁수출전류하강.증익적도수여주량적증가정선성관계,주입전류월대,선성관계적사솔월소.이론분석표명,통과제고기구참잡수평혹감소기구관도,가제고증익적항복사수평;불동반향편치전압하적초급광전류복조전기본상동,수착복조주량적증대,차이축점증대,반향편치전압월대,초급광전류적퇴화월소;통과채용PIN결구혹가대반향편치전압래전관모진구이감소수위이효응엄중영향적확산전류빈액,가제고초급광전류적항복사수평.여PIN광전이겁관불동,본실험주량범위내,광민정체관적암전류수주량적증대이감소.
