西安电子科技大学学报（自然科学版）
西安電子科技大學學報（自然科學版）
서안전자과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2012年
2期
164-167
,共4页
匡潜玮%刘红侠%樊继斌%马飞%张言雷
劻潛瑋%劉紅俠%樊繼斌%馬飛%張言雷
광잠위%류홍협%번계빈%마비%장언뢰
高k栅介质%二氧化铪%原子层淀积%生长温度%氧化层缺陷
高k柵介質%二氧化鉿%原子層澱積%生長溫度%氧化層缺陷
고k책개질%이양화협%원자층정적%생장온도%양화층결함
采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分析HfO2薄膜的C-V特性发现,不同生长温度下淀积的HfO2薄膜的介电常数和氧化层缺陷数量都有很大区别,过高和过低的生长温度都将增加HfO2薄膜中的原生缺陷,其中,280℃～310℃区间生长的HfO2薄膜中的缺陷最少.
採用原子層澱積方法,在不同生長溫度下製備瞭HfO2高k柵介質薄膜,研究瞭生長溫度對HfO2薄膜特性的影響.實驗結果錶明,HfO2薄膜的生長速率受生長溫度的影響很大,在高溫區將隨著溫度的上升而增大,而在低溫區將隨著溫度的降低而增大.通過分析HfO2薄膜的C-V特性髮現,不同生長溫度下澱積的HfO2薄膜的介電常數和氧化層缺陷數量都有很大區彆,過高和過低的生長溫度都將增加HfO2薄膜中的原生缺陷,其中,280℃～310℃區間生長的HfO2薄膜中的缺陷最少.
채용원자층정적방법,재불동생장온도하제비료HfO2고k책개질박막,연구료생장온도대HfO2박막특성적영향.실험결과표명,HfO2박막적생장속솔수생장온도적영향흔대,재고온구장수착온도적상승이증대,이재저온구장수착온도적강저이증대.통과분석HfO2박막적C-V특성발현,불동생장온도하정적적HfO2박막적개전상수화양화층결함수량도유흔대구별,과고화과저적생장온도도장증가HfO2박막중적원생결함,기중,280℃～310℃구간생장적HfO2박막중적결함최소.
