微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
6期
833-837
,共5页
毫米波%CMOS%建模%MOS变容管%BSIM3
毫米波%CMOS%建模%MOS變容管%BSIM3
호미파%CMOS%건모%MOS변용관%BSIM3
提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法.针对标准0.18μm CMOS工艺,采用2D器件仿真软件MINIMOS,设计实现了积累型MOS变容管;并提出和分析了基于标准BSIM3模型的MOS变容管的等效电路模型;通过MINIMOS仿真,直接提取电路模型各寄生参数.该模型能方便地在电路设计软件中实现,并能预测最高达40 GHz频率范围内的变容管特性.
提齣瞭應用于毫米波段的MOS變容管的建模方法.針對標準0.18μm CMOS工藝,採用2D器件倣真軟件MINIMOS,設計實現瞭積纍型MOS變容管;併提齣和分析瞭基于標準BSIM3模型的MOS變容管的等效電路模型;通過MINIMOS倣真,直接提取電路模型各寄生參數.該模型能方便地在電路設計軟件中實現,併能預測最高達40 GHz頻率範圍內的變容管特性.
제출료응용우호미파단적MOS변용관적건모방법.침대표준0.18μm CMOS공예,채용2D기건방진연건MINIMOS,설계실현료적루형MOS변용관;병제출화분석료기우표준BSIM3모형적MOS변용관적등효전로모형;통과MINIMOS방진,직접제취전로모형각기생삼수.해모형능방편지재전로설계연건중실현,병능예측최고체40 GHz빈솔범위내적변용관특성.
