微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2008年
4期
477-480
,共4页
冯泉林%王敬%何自强%常青%周旗钢
馮泉林%王敬%何自彊%常青%週旂鋼
풍천림%왕경%하자강%상청%주기강
单晶硅片%洁净区%氧沉淀%内吸杂%快速热退火
單晶硅片%潔淨區%氧沉澱%內吸雜%快速熱退火
단정규편%길정구%양침정%내흡잡%쾌속열퇴화
使用N2和N2/NH3混合气氛作为快速热退火(RTA)气氛,研究了RTA气氛对洁净区、氧沉淀和硅片表面形貌的影响.在N2/NH3混合气氛下,RTA处理后,硅片表面出现小坑,同时,微粗糙度增加,后续热处理工艺中会出现薄的洁净区(～10μm)和高密度的氧沉淀.经过N2气氛RTA处理的硅片,表面微粗糙度变化不大,后续热处理中获得较厚的洁净区(≥40μm)和较低的氧沉淀密度.
使用N2和N2/NH3混閤氣氛作為快速熱退火(RTA)氣氛,研究瞭RTA氣氛對潔淨區、氧沉澱和硅片錶麵形貌的影響.在N2/NH3混閤氣氛下,RTA處理後,硅片錶麵齣現小坑,同時,微粗糙度增加,後續熱處理工藝中會齣現薄的潔淨區(～10μm)和高密度的氧沉澱.經過N2氣氛RTA處理的硅片,錶麵微粗糙度變化不大,後續熱處理中穫得較厚的潔淨區(≥40μm)和較低的氧沉澱密度.
사용N2화N2/NH3혼합기분작위쾌속열퇴화(RTA)기분,연구료RTA기분대길정구、양침정화규편표면형모적영향.재N2/NH3혼합기분하,RTA처리후,규편표면출현소갱,동시,미조조도증가,후속열처리공예중회출현박적길정구(～10μm)화고밀도적양침정.경과N2기분RTA처리적규편,표면미조조도변화불대,후속열처리중획득교후적길정구(≥40μm)화교저적양침정밀도.
