真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2012年
2期
163-168
,共6页
微波电子回旋共振等离子体%非晶碳化硅%红外光谱%光学带隙
微波電子迴鏇共振等離子體%非晶碳化硅%紅外光譜%光學帶隙
미파전자회선공진등리자체%비정탄화규%홍외광보%광학대극
利用SH4(80％Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜.实验结果表明碳化硅薄膜沉积速率随气体流量比R(CH4/(CH4+SiH4))的增加而减小、随基片温度的升高明显减小、随沉积气压的增加先增大后减小.红外结构表明:在较低流量比R下,薄膜主要由硅团簇和非晶碳化硅两相组成,而当R＞0.5时,薄膜的结构主要由非晶碳化硅组成,薄膜中键合的H主要是Si和C的封端原子.同时,沉积温度的升高使碳化硅薄膜中Si-H,C-C和C-H键的含量减少,而薄膜中Si-C含量明显增加且峰位发生了红移.薄膜相结构的转变是薄膜光学带隙变化的原因.
利用SH4(80％Ar稀釋)和CH4作為源氣體,通過改變源氣體流量比、基片溫度、沉積氣壓等參量,使用微波電子迴鏇共振化學氣相沉積法生長非晶碳化硅薄膜.實驗結果錶明碳化硅薄膜沉積速率隨氣體流量比R(CH4/(CH4+SiH4))的增加而減小、隨基片溫度的升高明顯減小、隨沉積氣壓的增加先增大後減小.紅外結構錶明:在較低流量比R下,薄膜主要由硅糰簇和非晶碳化硅兩相組成,而噹R＞0.5時,薄膜的結構主要由非晶碳化硅組成,薄膜中鍵閤的H主要是Si和C的封耑原子.同時,沉積溫度的升高使碳化硅薄膜中Si-H,C-C和C-H鍵的含量減少,而薄膜中Si-C含量明顯增加且峰位髮生瞭紅移.薄膜相結構的轉變是薄膜光學帶隙變化的原因.
이용SH4(80％Ar희석)화CH4작위원기체,통과개변원기체류량비、기편온도、침적기압등삼량,사용미파전자회선공진화학기상침적법생장비정탄화규박막.실험결과표명탄화규박막침적속솔수기체류량비R(CH4/(CH4+SiH4))적증가이감소、수기편온도적승고명현감소、수침적기압적증가선증대후감소.홍외결구표명:재교저류량비R하,박막주요유규단족화비정탄화규량상조성,이당R＞0.5시,박막적결구주요유비정탄화규조성,박막중건합적H주요시Si화C적봉단원자.동시,침적온도적승고사탄화규박막중Si-H,C-C화C-H건적함량감소,이박막중Si-C함량명현증가차봉위발생료홍이.박막상결구적전변시박막광학대극변화적원인.
