传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2012年
8期
15-16,20
,共3页
气敏材料%气敏元件%SnS%NH3
氣敏材料%氣敏元件%SnS%NH3
기민재료%기민원건%SnS%NH3
以气相的H2S和液相的Na2S溶液2种沉淀剂与SnCl2溶液分别在室温和50℃下制备得到4种SnS晶体.通过扫描电镜(SEM)表征观察了4种晶体粉末的颗粒大小和表面状况.对其低温下气敏性测试表明:4种晶体都对NH3有很好的响应,尤其是在工作电压10 V的条件下,NH3浓度范围0.0148～0.148 mmol/L内,各个样品拥有最高的灵敏度.最快的响应时间为1.5 min,最快的恢复时间为52 s.SnS作为气敏材料在节能传感器开发和检测NH3泄漏方面有一定的应用前景.
以氣相的H2S和液相的Na2S溶液2種沉澱劑與SnCl2溶液分彆在室溫和50℃下製備得到4種SnS晶體.通過掃描電鏡(SEM)錶徵觀察瞭4種晶體粉末的顆粒大小和錶麵狀況.對其低溫下氣敏性測試錶明:4種晶體都對NH3有很好的響應,尤其是在工作電壓10 V的條件下,NH3濃度範圍0.0148～0.148 mmol/L內,各箇樣品擁有最高的靈敏度.最快的響應時間為1.5 min,最快的恢複時間為52 s.SnS作為氣敏材料在節能傳感器開髮和檢測NH3洩漏方麵有一定的應用前景.
이기상적H2S화액상적Na2S용액2충침정제여SnCl2용액분별재실온화50℃하제비득도4충SnS정체.통과소묘전경(SEM)표정관찰료4충정체분말적과립대소화표면상황.대기저온하기민성측시표명:4충정체도대NH3유흔호적향응,우기시재공작전압10 V적조건하,NH3농도범위0.0148～0.148 mmol/L내,각개양품옹유최고적령민도.최쾌적향응시간위1.5 min,최쾌적회복시간위52 s.SnS작위기민재료재절능전감기개발화검측NH3설루방면유일정적응용전경.
