GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究
GaN기람광발광이겁관적파장은정성연구
A study on wavelength stability of GaN-based blue light emitting diodes
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2004年 8期 2720-2723 ,共4页

    罗毅%郭文平%邵嘉平%胡卉%韩彦军%薛松%汪莱%孙长征%郝智彪

    라의%곽문평%소가평%호훼%한언군%설송%왕래%손장정%학지표

    GaN%发光二极管%波长稳定性 GaN%髮光二極管%波長穩定性
    GaN%발광이겁관%파장은정성
    尽管GaN基蓝绿光发光二极管(LED)已进入大规模商品化阶段,但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题.同时,蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为25 nm以上.通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量,获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱LED外延片.由此制作的LED器件在0-120 mA的注入电流下,发光波长变化小于1 nm.在20 mA的正向电流下,其光谱半高全宽只有18 nm,且随注入电流变化较小.
    진관GaN기람록광발광이겁관(LED)이진입대규모상품화계단,단기발광파장수주입전류적변화잉시일개상미해결적관건기술난제.동시,람록광LED전주입발광광보적반고전관다위25 nm이상.통과우화LED기건재료적생장조건화총응변량,획득료고질량적InGaN/GaN다양자정LED외연편.유차제작적LED기건재0-120 mA적주입전류하,발광파장변화소우1 nm.재20 mA적정향전류하,기광보반고전관지유18 nm,차수주입전류변화교소.
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