CAJ | 학술논문

在Ar+O2气氛中,采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn2O4薄膜.制得的薄膜经x射线衍射(XRD)检测为CdIn2O2和CdO相组成的多晶.从理论上分析了热处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用.同时,对样品进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系,特别强调了弛豫时间的重要性.为了提高导电膜的透射率,还分析了Burstein-Moss漂移和带隙收缩对光带隙的影响,并在薄膜制备时选择了合适的衬底温度T8≈280℃.实验表明,在氧分压为8％左右时制备的薄膜质量较好,热处理后的指标大约为迁移率μH=31×10-4m2/V·s,电阻率ρ=1.89×10-5Ω·m.
재Ar+O2기분중,채용사빈반응천사Cd-In파제비CdIn2O4박막.제득적박막경x사선연사(XRD)검측위CdIn2O2화CdO상조성적다정.종이론상분석료열처리전후양공위、참잡점결함화부양전자함정재영향막적재류자농도화전자산사중소기적중요작용.동시,대양품진행Hall효응、Seebeck효응측시병득출불동재류자농도하적천이솔、유효질량、이예시간이급타문지간적상호관계,특별강조료이예시간적중요성.위료제고도전막적투사솔,환분석료Burstein-Moss표이화대극수축대광대극적영향,병재박막제비시선택료합괄적츤저온도T8≈280℃.실험표명,재양분압위8％좌우시제비적박막질량교호,열처리후적지표대약위천이솔μH=31×10-4m2/V·s,전조솔ρ=1.89×10-5Ω·m.