光散射学报
光散射學報
광산사학보
CHINESE JOURNAL OF LIGHT SCATTERING
2012年
1期
17-22
,共6页
王俊俏%朱双美%何金娜%程永光%范春珍%蔡根旺%梁二军
王俊俏%硃雙美%何金娜%程永光%範春珍%蔡根旺%樑二軍
왕준초%주쌍미%하금나%정영광%범춘진%채근왕%량이군
Klarite芯片%表面增强拉曼散射%电场增强
Klarite芯片%錶麵增彊拉曼散射%電場增彊
Klarite심편%표면증강랍만산사%전장증강
本文介绍了一种商用的表面增强拉曼芯片(Klarite),并对其表面形貌、拉曼活性进行了表征和测试分析.Klarite芯片由于独特的倒金字塔形设计使得其具有较好的拉曼活性、稳定性和重现性,为生命科学和分析化学研究提供了有力的研究工具.此外,我们对Klarite芯片在外电磁场作用下的表面电场分布进行了模拟,发现一个结构单元中存在多个“热点”区域,并且最大电磁场的增强随着倒置金字塔的高度h改变而变化,当h为600 nm时,电磁场增强达到最大,约为25倍.
本文介紹瞭一種商用的錶麵增彊拉曼芯片(Klarite),併對其錶麵形貌、拉曼活性進行瞭錶徵和測試分析.Klarite芯片由于獨特的倒金字塔形設計使得其具有較好的拉曼活性、穩定性和重現性,為生命科學和分析化學研究提供瞭有力的研究工具.此外,我們對Klarite芯片在外電磁場作用下的錶麵電場分佈進行瞭模擬,髮現一箇結構單元中存在多箇“熱點”區域,併且最大電磁場的增彊隨著倒置金字塔的高度h改變而變化,噹h為600 nm時,電磁場增彊達到最大,約為25倍.
본문개소료일충상용적표면증강랍만심편(Klarite),병대기표면형모、랍만활성진행료표정화측시분석.Klarite심편유우독특적도금자탑형설계사득기구유교호적랍만활성、은정성화중현성,위생명과학화분석화학연구제공료유력적연구공구.차외,아문대Klarite심편재외전자장작용하적표면전장분포진행료모의,발현일개결구단원중존재다개“열점”구역,병차최대전자장적증강수착도치금자탑적고도h개변이변화,당h위600 nm시,전자장증강체도최대,약위25배.
