自组织量子点的形成过程
자조직양자점적형성과정
Formation Process of S-K Quantum Dots
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 z1期 80-83 ,共4页

    于理科%徐波%王占国%金鹏%赵昶%雷文%胡良均%刘宁

    우이과%서파%왕점국%금붕%조창%뢰문%호량균%류저

    量子点%AFM%PL谱 量子點%AFM%PL譜
    양자점%AFM%PL보
    利用分子束外延技术(MBE)生长了一个分布很不均匀的InGaAs量子点样品.样品不同位置InGaAs的沉积量不同导致点的大小、密度分布不均匀.这种分布恰恰对应着量子点形成的不同时期,因此仅通过一个样品就可以把量子点的生长演变全过程展示出来.AFM和PL测试表明:随着InGaAs沉积量的增加,量子点的密度显著增加,量子点的尺寸分布渐趋均匀并倾向于一平衡值.
    이용분자속외연기술(MBE)생장료일개분포흔불균균적InGaAs양자점양품.양품불동위치InGaAs적침적량불동도치점적대소、밀도분포불균균.저충분포흡흡대응착양자점형성적불동시기,인차부통과일개양품취가이파양자점적생장연변전과정전시출래.AFM화PL측시표명:수착InGaAs침적량적증가,양자점적밀도현저증가,양자점적척촌분포점추균균병경향우일평형치.
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