现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2010年
12期
176-178
,共3页
微波等离子体化学气相沉积%碳纳米管%碳纳米链%陶瓷衬底
微波等離子體化學氣相沉積%碳納米管%碳納米鏈%陶瓷襯底
미파등리자체화학기상침적%탄납미관%탄납미련%도자츤저
在陶瓷衬底上通过磁控溅射方法镀上金属钛层,用含铁杂质的氧化硅对钛层进行抛光,通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在不同的温度下短时间里制备出CNT膜.利用扫描电子显微镜、拉曼光谱,X射线衍射,分析了薄膜的结构和表面形貌.仔细研究不同温度下制备的CNT膜,得出衬底温度400℃时制备的碳膜是以非晶碳为主,600℃时置备的碳膜是良好的碳纳米管膜,800℃制备的碳纳米管膜的缺陷变得很多,以碳纳米链为主.最后得出了温度对催化活性有很大影响的结论.
在陶瓷襯底上通過磁控濺射方法鍍上金屬鈦層,用含鐵雜質的氧化硅對鈦層進行拋光,通過微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)法在不同的溫度下短時間裏製備齣CNT膜.利用掃描電子顯微鏡、拉曼光譜,X射線衍射,分析瞭薄膜的結構和錶麵形貌.仔細研究不同溫度下製備的CNT膜,得齣襯底溫度400℃時製備的碳膜是以非晶碳為主,600℃時置備的碳膜是良好的碳納米管膜,800℃製備的碳納米管膜的缺陷變得很多,以碳納米鏈為主.最後得齣瞭溫度對催化活性有很大影響的結論.
재도자츤저상통과자공천사방법도상금속태층,용함철잡질적양화규대태층진행포광,통과미파등리자체화학기상침적(MPCVD)법재불동적온도하단시간리제비출CNT막.이용소묘전자현미경、랍만광보,X사선연사,분석료박막적결구화표면형모.자세연구불동온도하제비적CNT막,득출츤저온도400℃시제비적탄막시이비정탄위주,600℃시치비적탄막시량호적탄납미관막,800℃제비적탄납미관막적결함변득흔다,이탄납미련위주.최후득출료온도대최화활성유흔대영향적결론.
