四川大学学报（自然科学版）
四川大學學報（自然科學版）
사천대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY（NATURAL SCIENCE EDITION）
2010年
6期
1331-1334
,共4页
廖熙%杨治美%杨翰飞%龚敏%孙小松
廖熙%楊治美%楊翰飛%龔敏%孫小鬆
료희%양치미%양한비%공민%손소송
立方碳化硅%反向外延%表面碳化%霍尔迁移率
立方碳化硅%反嚮外延%錶麵碳化%霍爾遷移率
립방탄화규%반향외연%표면탄화%곽이천이솔
采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以CH4和H2的混合气体作为反应源气体,在n型Si(111)衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC薄膜.在此反应过程中,H2作为稀释与运载气体,CH4提供C源,而Si源由Si衬底提供.通过X射线衍射分析仪(XRD)与场发射扫描电镜(FESEM)分别研究生长出的3C-SiC薄膜的晶格结构和表面形貌.其在室温下的霍尔迁移率的值为1.22×103cm2/(V·s),高于其它相关文献报道的霍尔迁移率.实验结果表明,此生长方法可以生长出表面较为平整,并具备高迁移率的3C-SiC薄膜.
採用低壓化學氣相澱積(LPCVD)技術,以CH4和H2的混閤氣體作為反應源氣體,在n型Si(111)襯底上反嚮外延生長齣高遷移率的自摻雜的n型3C-SiC薄膜.在此反應過程中,H2作為稀釋與運載氣體,CH4提供C源,而Si源由Si襯底提供.通過X射線衍射分析儀(XRD)與場髮射掃描電鏡(FESEM)分彆研究生長齣的3C-SiC薄膜的晶格結構和錶麵形貌.其在室溫下的霍爾遷移率的值為1.22×103cm2/(V·s),高于其它相關文獻報道的霍爾遷移率.實驗結果錶明,此生長方法可以生長齣錶麵較為平整,併具備高遷移率的3C-SiC薄膜.
채용저압화학기상정적(LPCVD)기술,이CH4화H2적혼합기체작위반응원기체,재n형Si(111)츤저상반향외연생장출고천이솔적자참잡적n형3C-SiC박막.재차반응과정중,H2작위희석여운재기체,CH4제공C원,이Si원유Si츤저제공.통과X사선연사분석의(XRD)여장발사소묘전경(FESEM)분별연구생장출적3C-SiC박막적정격결구화표면형모.기재실온하적곽이천이솔적치위1.22×103cm2/(V·s),고우기타상관문헌보도적곽이천이솔.실험결과표명,차생장방법가이생장출표면교위평정,병구비고천이솔적3C-SiC박막.
