绝缘材料
絕緣材料
절연재료
INSULATING MATERIALS
2011年
1期
17-21
,共5页
溶胶-凝胶法%SrInxTi1-xO3薄膜%结构
溶膠-凝膠法%SrInxTi1-xO3薄膜%結構
용효-응효법%SrInxTi1-xO3박막%결구
以Sr(OOCCH3)2·H2O,In(NO3)3·41/2H2O及Ti(OC4H9)4为原料,用溶胶-凝胶工艺制备了SrInx-Ti1-xO3(SITO)薄膜.SITO凝胶薄膜经过575~725℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构.用XRD、SEM对薄膜结构和形貌表征.霍尔测定表明In-STO薄膜属于空穴导电的p-型半导体.SITO薄膜形貌与溶胶的陈化时间有关,最佳陈化时间为5~20h.
以Sr(OOCCH3)2·H2O,In(NO3)3·41/2H2O及Ti(OC4H9)4為原料,用溶膠-凝膠工藝製備瞭SrInx-Ti1-xO3(SITO)薄膜.SITO凝膠薄膜經過575~725℃/60 min退火形成立方鈣鈦礦結構.用XRD、SEM對薄膜結構和形貌錶徵.霍爾測定錶明In-STO薄膜屬于空穴導電的p-型半導體.SITO薄膜形貌與溶膠的陳化時間有關,最佳陳化時間為5~20h.
이Sr(OOCCH3)2·H2O,In(NO3)3·41/2H2O급Ti(OC4H9)4위원료,용용효-응효공예제비료SrInx-Ti1-xO3(SITO)박막.SITO응효박막경과575~725℃/60 min퇴화형성립방개태광결구.용XRD、SEM대박막결구화형모표정.곽이측정표명In-STO박막속우공혈도전적p-형반도체.SITO박막형모여용효적진화시간유관,최가진화시간위5~20h.
