电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2012年
2期
26-29
,共4页
刘宗洁%鲁玉明%范峰%刘志勇%蔡传兵
劉宗潔%魯玉明%範峰%劉誌勇%蔡傳兵
류종길%로옥명%범봉%류지용%채전병
缓冲层%涂层导体%双轴织构%RABiTS%LaMnO3
緩遲層%塗層導體%雙軸織構%RABiTS%LaMnO3
완충층%도층도체%쌍축직구%RABiTS%LaMnO3
采用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni95W5(Ni-5W)合金基底上外延生长了LaMnO3(LMO)薄膜作为涂层导体缓冲层,研究了沉积温度对LMO薄膜生长织构和表面形貌的影响.研究结果表明:沉积温度对LMO薄膜的表面形貌有一定的影响；在沉积温度为650℃时,LMO薄膜具有良好的(00l)取向,薄膜表面平整均匀,光滑致密,其均方根粗糙度在2 nm以下；而且,在此LMO缓冲层上外延生长的YBa2Cu3O7-δ超导层具有良好的双轴织构,超导转变温度Tc为92 K,转变宽度小于1K,临界电流密度Jc为5.3×105A/cm2(77 K,自场).
採用脈遲激光沉積技術在雙軸織構的Ni95W5(Ni-5W)閤金基底上外延生長瞭LaMnO3(LMO)薄膜作為塗層導體緩遲層,研究瞭沉積溫度對LMO薄膜生長織構和錶麵形貌的影響.研究結果錶明:沉積溫度對LMO薄膜的錶麵形貌有一定的影響；在沉積溫度為650℃時,LMO薄膜具有良好的(00l)取嚮,薄膜錶麵平整均勻,光滑緻密,其均方根粗糙度在2 nm以下；而且,在此LMO緩遲層上外延生長的YBa2Cu3O7-δ超導層具有良好的雙軸織構,超導轉變溫度Tc為92 K,轉變寬度小于1K,臨界電流密度Jc為5.3×105A/cm2(77 K,自場).
채용맥충격광침적기술재쌍축직구적Ni95W5(Ni-5W)합금기저상외연생장료LaMnO3(LMO)박막작위도층도체완충층,연구료침적온도대LMO박막생장직구화표면형모적영향.연구결과표명:침적온도대LMO박막적표면형모유일정적영향；재침적온도위650℃시,LMO박막구유량호적(00l)취향,박막표면평정균균,광활치밀,기균방근조조도재2 nm이하；이차,재차LMO완충층상외연생장적YBa2Cu3O7-δ초도층구유량호적쌍축직구,초도전변온도Tc위92 K,전변관도소우1K,림계전류밀도Jc위5.3×105A/cm2(77 K,자장).
