太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2003年
z1期
17-20
,共4页
刘丰珍%朱美芳%刘金龙%汪六九%韩一琴
劉豐珍%硃美芳%劉金龍%汪六九%韓一琴
류봉진%주미방%류금룡%왕륙구%한일금
等离子体%热丝CVD%多晶硅%薄膜
等離子體%熱絲CVD%多晶硅%薄膜
등리자체%열사CVD%다정규%박막
将等离子体引入热丝化学气相沉积(HWCVD)过程,并采用该技术制备了多晶硅和微晶硅薄膜,通过Raman散射、红外吸收谱等手段研究了薄膜结构性质,讨论了等离子体引入热丝CVD对沉积过程的影响.结果表明,与单纯的HWCVD技术相比,等离子体的加入在一定条件下有助于薄膜晶化、增加薄膜致密度、提高薄膜均匀性并阻止硅化物在高温热丝表面的形成.
將等離子體引入熱絲化學氣相沉積(HWCVD)過程,併採用該技術製備瞭多晶硅和微晶硅薄膜,通過Raman散射、紅外吸收譜等手段研究瞭薄膜結構性質,討論瞭等離子體引入熱絲CVD對沉積過程的影響.結果錶明,與單純的HWCVD技術相比,等離子體的加入在一定條件下有助于薄膜晶化、增加薄膜緻密度、提高薄膜均勻性併阻止硅化物在高溫熱絲錶麵的形成.
장등리자체인입열사화학기상침적(HWCVD)과정,병채용해기술제비료다정규화미정규박막,통과Raman산사、홍외흡수보등수단연구료박막결구성질,토론료등리자체인입열사CVD대침적과정적영향.결과표명,여단순적HWCVD기술상비,등리자체적가입재일정조건하유조우박막정화、증가박막치밀도、제고박막균균성병조지규화물재고온열사표면적형성.
