半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
3期
307-311
,共5页
宋敏%张颖%郐新凯%郑亚茹
宋敏%張穎%鄶新凱%鄭亞茹
송민%장영%회신개%정아여
电荷耦合器件%调制传递函数%载流子扩散
電荷耦閤器件%調製傳遞函數%載流子擴散
전하우합기건%조제전체함수%재류자확산
以表面沟道前射电荷耦合器件(CCD)为例,从理论上讨论了CCD内载流子扩散的机制,提出了利用光积分周期内收集的总信号电荷密度求CCD调制传递函数的方法,并获得了耗尽宽度随信号电荷密度改变时的CCD调制传递函数曲线,讨论了载流子扩散对传递函数的影响.利用已有的传递函数测量仪进行实验,数值模拟结果与实验结果基本吻合.
以錶麵溝道前射電荷耦閤器件(CCD)為例,從理論上討論瞭CCD內載流子擴散的機製,提齣瞭利用光積分週期內收集的總信號電荷密度求CCD調製傳遞函數的方法,併穫得瞭耗儘寬度隨信號電荷密度改變時的CCD調製傳遞函數麯線,討論瞭載流子擴散對傳遞函數的影響.利用已有的傳遞函數測量儀進行實驗,數值模擬結果與實驗結果基本吻閤.
이표면구도전사전하우합기건(CCD)위례,종이론상토론료CCD내재류자확산적궤제,제출료이용광적분주기내수집적총신호전하밀도구CCD조제전체함수적방법,병획득료모진관도수신호전하밀도개변시적CCD조제전체함수곡선,토론료재류자확산대전체함수적영향.이용이유적전체함수측량의진행실험,수치모의결과여실험결과기본문합.
