电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2008年
4期
618-620
,共3页
于军胜%李青%娄双玲%李璐%黎威志%蒋亚东
于軍勝%李青%婁雙玲%李璐%黎威誌%蔣亞東
우군성%리청%루쌍령%리로%려위지%장아동
Alq3%绿色%有机发光二极管%TPBTSi
Alq3%綠色%有機髮光二極管%TPBTSi
Alq3%록색%유궤발광이겁관%TPBTSi
利用2,2,3,3-tetraphenyl-4,4-bisthienylsilole(TPBTSi)作为发光材料,采用真空镀膜的方法制备双层器件ITO/N,bis(1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/TPBTSi/Mg:Ag;在此基础上,利用N'-diphenyl-N,N'-tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)作为电子传输材料,以TPBTSi为发光层制备了结构为ITO/NPB/TPBTSi/A1q3/Mg:Ag的三层有机发光器件,结果表明,与双层器件相比,三层器件的发光性能得到很大提高,发光光谱谱峰位于516 nm处,即TPBTSi的特征光谱,CIE坐标为(0.275,0.448),且不随电压的改变而变化,在15 V的驱动电压下,器件的最大亮度和流明效率分别为7032 cd/m2和0.79 hm/W.
利用2,2,3,3-tetraphenyl-4,4-bisthienylsilole(TPBTSi)作為髮光材料,採用真空鍍膜的方法製備雙層器件ITO/N,bis(1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/TPBTSi/Mg:Ag;在此基礎上,利用N'-diphenyl-N,N'-tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)作為電子傳輸材料,以TPBTSi為髮光層製備瞭結構為ITO/NPB/TPBTSi/A1q3/Mg:Ag的三層有機髮光器件,結果錶明,與雙層器件相比,三層器件的髮光性能得到很大提高,髮光光譜譜峰位于516 nm處,即TPBTSi的特徵光譜,CIE坐標為(0.275,0.448),且不隨電壓的改變而變化,在15 V的驅動電壓下,器件的最大亮度和流明效率分彆為7032 cd/m2和0.79 hm/W.
이용2,2,3,3-tetraphenyl-4,4-bisthienylsilole(TPBTSi)작위발광재료,채용진공도막적방법제비쌍층기건ITO/N,bis(1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/TPBTSi/Mg:Ag;재차기출상,이용N'-diphenyl-N,N'-tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)작위전자전수재료,이TPBTSi위발광층제비료결구위ITO/NPB/TPBTSi/A1q3/Mg:Ag적삼층유궤발광기건,결과표명,여쌍층기건상비,삼층기건적발광성능득도흔대제고,발광광보보봉위우516 nm처,즉TPBTSi적특정광보,CIE좌표위(0.275,0.448),차불수전압적개변이변화,재15 V적구동전압하,기건적최대량도화류명효솔분별위7032 cd/m2화0.79 hm/W.
