红外
紅外
홍외
INFRARED
2010年
8期
9-13
,共5页
密度泛函理论%能带结构%纳米晶%光发射%缺陷
密度汎函理論%能帶結構%納米晶%光髮射%缺陷
밀도범함이론%능대결구%납미정%광발사%결함
为了研究锗硅纳米镶嵌结构的光学性质与晶粒尺寸之间的关系,采用基于第一性原理局域密度泛函理论的平面波近似方法对SiO2基质中的不同纳米晶粒模型进行了模拟计算,并分析了其能带结构、态密度和光学性质.结果表明,锗晶结构和硅晶结构分别在费米能级以上3.3eV及4.3eV附近引入中间能级;微小尺寸晶粒的光吸收边随晶粒尺寸的增大先红移后蓝移.本文关于锗硅纳米晶结构的可见光发射来自界面处缺陷的说法具有较高的可信度.镶嵌于SiO2基质中的锗纳米晶和硅纳米晶存在适用量子限制模型的最小尺寸限.这些结论为改进材料的光学性能和深入研究纳米镶嵌材料的发光机理提供了一定的依据.
為瞭研究鍺硅納米鑲嵌結構的光學性質與晶粒呎吋之間的關繫,採用基于第一性原理跼域密度汎函理論的平麵波近似方法對SiO2基質中的不同納米晶粒模型進行瞭模擬計算,併分析瞭其能帶結構、態密度和光學性質.結果錶明,鍺晶結構和硅晶結構分彆在費米能級以上3.3eV及4.3eV附近引入中間能級;微小呎吋晶粒的光吸收邊隨晶粒呎吋的增大先紅移後藍移.本文關于鍺硅納米晶結構的可見光髮射來自界麵處缺陷的說法具有較高的可信度.鑲嵌于SiO2基質中的鍺納米晶和硅納米晶存在適用量子限製模型的最小呎吋限.這些結論為改進材料的光學性能和深入研究納米鑲嵌材料的髮光機理提供瞭一定的依據.
위료연구타규납미양감결구적광학성질여정립척촌지간적관계,채용기우제일성원리국역밀도범함이론적평면파근사방법대SiO2기질중적불동납미정립모형진행료모의계산,병분석료기능대결구、태밀도화광학성질.결과표명,타정결구화규정결구분별재비미능급이상3.3eV급4.3eV부근인입중간능급;미소척촌정립적광흡수변수정립척촌적증대선홍이후람이.본문관우타규납미정결구적가견광발사래자계면처결함적설법구유교고적가신도.양감우SiO2기질중적타납미정화규납미정존재괄용양자한제모형적최소척촌한.저사결론위개진재료적광학성능화심입연구납미양감재료적발광궤리제공료일정적의거.
