传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2011年
4期
467-474
,共8页
吴泽志%朱满根%Kisaalita W S%Wang L%Zhao Y P%林雨%黄岂平%廖彦剑%Li C Z
吳澤誌%硃滿根%Kisaalita W S%Wang L%Zhao Y P%林雨%黃豈平%廖彥劍%Li C Z
오택지%주만근%Kisaalita W S%Wang L%Zhao Y P%림우%황기평%료언검%Li C Z
细胞生物传感器%功能响应性%阵列型拓扑结构基底%软光刻%倾斜角法%电压依从式钙通道%静息膜电位
細胞生物傳感器%功能響應性%陣列型拓撲結構基底%軟光刻%傾斜角法%電壓依從式鈣通道%靜息膜電位
세포생물전감기%공능향응성%진렬형탁복결구기저%연광각%경사각법%전압의종식개통도%정식막전위
以紫外光光刻、硅蚀刻及软光刻技术制备了微柱阵列型细胞培养基底.实验发现,在4μm的结构高度下,当微柱特征尺寸大于或等于4 μm时,该法能制备结构规整清晰的聚二甲基硅氧烷微柱阵列型基底.特征尺寸为2μm的基底已经接近该法的极限加工能力,所加工的微柱阵列出现倒伏或缺失.采用一种简单的倾斜角法可以制备一种聚苯乙烯微球致密阵列型基底.该基底的微球直径可以小至2μm或亚微米尺度.细胞培养实验发现,拓扑结构基底能促进神经细胞粘附与铺展,影响细胞静息电位水平,增强电压依从式钙通道功能响应.阵列型拓扑结构基底为构建传感器细胞微环境提供了有效的工程化手段.
以紫外光光刻、硅蝕刻及軟光刻技術製備瞭微柱陣列型細胞培養基底.實驗髮現,在4μm的結構高度下,噹微柱特徵呎吋大于或等于4 μm時,該法能製備結構規整清晰的聚二甲基硅氧烷微柱陣列型基底.特徵呎吋為2μm的基底已經接近該法的極限加工能力,所加工的微柱陣列齣現倒伏或缺失.採用一種簡單的傾斜角法可以製備一種聚苯乙烯微毬緻密陣列型基底.該基底的微毬直徑可以小至2μm或亞微米呎度.細胞培養實驗髮現,拓撲結構基底能促進神經細胞粘附與鋪展,影響細胞靜息電位水平,增彊電壓依從式鈣通道功能響應.陣列型拓撲結構基底為構建傳感器細胞微環境提供瞭有效的工程化手段.
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