均匀掺杂和梯度掺杂结构GaN光电阴极性能对比研究
균균참잡화제도참잡결구GaN광전음겁성능대비연구
Comparative Study of Uniform-Doping and Gradient-Doping Negative Electron Affinity GaN Photocathodes
  • 万方数据
    光谱学与光谱分析 광보학여광보분석
    SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
    2011年 8期 2036-2039 ,共4页

    李飙%常本康%徐源%杜晓晴%杜玉杰%付小倩%王晓晖%张俊举

    리표%상본강%서원%두효청%두옥걸%부소천%왕효휘%장준거

    负电子亲和势%氮化镓%均匀掺杂%梯度掺杂%光电阴极%场助%量子效率 負電子親和勢%氮化鎵%均勻摻雜%梯度摻雜%光電陰極%場助%量子效率
    부전자친화세%담화가%균균참잡%제도참잡%광전음겁%장조%양자효솔
    高温退火与Cs/O激活是形成负电子亲和势GaN光电阴极的外来诱因,GaN材料本身性能是影响阴极形成的内在因素.针对均匀掺杂和梯度掺杂GaN光电阴极在结构上的不同,结合阴极在激活过程中光电流的变化规律和激活后的量子产额,分析了均匀掺杂和梯度掺杂负电子亲和势GaN光电阴极性能的异同.实验表明,与均匀掺杂结构阴极相比,梯度掺杂结构阴极在激活过程中光电流增速较慢,激活时间相对较长,激活成功后量子效率较高.采用场助光电阴极发射模型可以很好地解释二者间存在的差异,梯度掺杂结构中内建电场的存在增加了电子向阴极表面的漂移运动,提高了电子到达阴极表面的几率.
    고온퇴화여Cs/O격활시형성부전자친화세GaN광전음겁적외래유인,GaN재료본신성능시영향음겁형성적내재인소.침대균균참잡화제도참잡GaN광전음겁재결구상적불동,결합음겁재격활과정중광전류적변화규률화격활후적양자산액,분석료균균참잡화제도참잡부전자친화세GaN광전음겁성능적이동.실험표명,여균균참잡결구음겁상비,제도참잡결구음겁재격활과정중광전류증속교만,격활시간상대교장,격활성공후양자효솔교고.채용장조광전음겁발사모형가이흔호지해석이자간존재적차이,제도참잡결구중내건전장적존재증가료전자향음겁표면적표이운동,제고료전자도체음겁표면적궤솔.
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