CAJ | 학술논문

应用有关热力学数据研究了与多晶硅主要生产工艺即西门子法相关的“Si-Cl-H”三元系的复杂化学反应,研究SiCl4氢化转化为SiHCl3过程中可能发生的15个反应,给出15个反应的ΔGθm -T图；并确定5个独立的反应,给出这5个独立反应的KθP -T图;高温时主反应(1)的Kp增长较慢,而反应(2)和(5)的KθP快速增大,1 373K时,主反应(1)的KθP较小,为0.157 1.进一步研究温度、压强和进料配比nH2/nsicl4对SiCl4氢化率的影响,并绘制出SiCl4氢化率随这些因素的变化曲线.结果表明:当压强和进料配比一定时,SiCl4的氢化率随温度的升高先增加后降低;增大压强或增加进料配比nH2/nsiCl4都会提高SiCl4的氢化率;SiCl4氢化转化为SiHCl3过程的最佳操作条件为温度为1 000℃,压强为0.3 MPa,进料配比nH,/nSiCl4为4,在此条件下,SiCl4的氢化率为25.78％.
응용유관열역학수거연구료여다정규주요생산공예즉서문자법상관적“Si-Cl-H”삼원계적복잡화학반응,연구SiCl4경화전화위SiHCl3과정중가능발생적15개반응,급출15개반응적ΔGθm -T도；병학정5개독립적반응,급출저5개독립반응적KθP -T도;고온시주반응(1)적Kp증장교만,이반응(2)화(5)적KθP쾌속증대,1 373K시,주반응(1)적KθP교소,위0.157 1.진일보연구온도、압강화진료배비nH2/nsicl4대SiCl4경화솔적영향,병회제출SiCl4경화솔수저사인소적변화곡선.결과표명:당압강화진료배비일정시,SiCl4적경화솔수온도적승고선증가후강저;증대압강혹증가진료배비nH2/nsiCl4도회제고SiCl4적경화솔;SiCl4경화전화위SiHCl3과정적최가조작조건위온도위1 000℃,압강위0.3 MPa,진료배비nH,/nSiCl4위4,재차조건하,SiCl4적경화솔위25.78％.